固态硬盘4k读取速度比写入慢很多，正常吗
很高兴来回答您的这个问题。针对你说的情况是正常的
第一、读取的工作原理：硬盘的存储数据通过总线到了内存里的速度，只是复制了一遍原有的数据信号；
第二、写入的工作原理：内存或者有时候处理器本身通过总线把数据复制到硬盘里，因为需要改动原有数据
以上是硬盘的工作原理，所以说硬盘的读取速度要比写入的速度快
这个情况是正常的，这是写入缓存的缘故，如果你在设备管理器 选中你的固态硬盘 右键属性里面 策略里关闭写入缓存后，你会发现写入的速度要成为个位数了
要知道容量越大，SSD通道数越多，单个通道数速度一样，自然容量越大速度越快。写入速度就是这样。单线程4K随机性能测速会被CPU性能、节能设置影响。
不用担心你的固态硬盘
不用担心你的固态硬盘
非常正常，固态硬盘的4K随机读出确实比写入慢，因为这个读取是即时不连续读取，而写入采用了SLC缓存整合写入,所以速度更快。
大家应该知道，固态硬盘是依靠闪存进行存储的，所以闪存颗粒性能高低就决定固态硬盘速率读写速率。
但是，由于闪存芯片是有寿命的，读取没有问题，而写入是有次数限制，如果直接让随机写入的数据进入TLC闪存单元，不仅速度慢，而且写入放大率会很高，对芯片寿命次数影响很大。
因此，固态硬盘为了增加TLC写入速度，需要SLC缓存来缓冲一下，然后再写入TLC芯片中，以SLC方式连续写入对闪存单元产生的磨损小于直接TLC方式写入。
简单的说，SLC缓存就是MLC、TLC或者QLC固态硬盘使用部分闪存空间模拟SLC的一种技术手段，以达到提速和延长寿命的作用。例如三星的TURBO WRITE技术，它就是通过在既有的TLC NAND Flash里划出一部分空间当SLC缓存，在其中的每个Cell中只写入1bit的数据，写入时，缓存可以将随机数据整合为持续的数据，然后一次性写入NAND闪存芯片中，这样来提升SSD的读写性能，
只要剩余空间足够多，无论分区多大，分区多少个，固态硬盘的写入SLC缓存空间都是固定的。
而随机读取是即时读取，不需要从缓存中再走一圈，尤其是大数据连续读取，这就造成了4K读取速度远没有写入速度快的原因。
其实，我们在实际使用中，电脑也不会像AS SSD Benchmark测试那样产生连续不间断的读取或写入，SLC缓存会在各种读写操作的空闲间隙时间内会自动释放，我们也无需关心SLC缓存在某一时刻是否用完。
所以，这些并不影响您的日常使用。
梵想s530q是什么颗粒
梵想S530Q固态硬盘采用的是QLC颗粒。QLC颗粒是指每个cell中存放4个bits的数据，其存储密度相比TLC更高，但性能上可能稍逊于TLC。梵想S530Q固态硬盘采用了无缓存设计，顺序读取速度高达3200MB/s，写入速度可达1350MB/s，这样的速度表现可以有效减少加载时间，让用户更迅速地进入游戏或应用程序。此外，梵想S530Q固态硬盘还采用了石墨烯复合材料散热贴片，可以在高速运行时有效降温，保证稳定可靠的运行性能。
以上信息仅供参考，如有需要，建议您查阅梵想S530Q固态硬盘的官方产品介绍或咨询相关专业人士。
技嘉猛盘512g固态怎么样
不错。
技嘉猛盘M30 SSD外置高速DRAM缓存,无需预留超额配置空间,从而提升随机读/写性能。M30 固态硬盘 512GB兼具高性能数据传输速度和超耐久,200万小时平均无故障时间(MTBF),提供5年质保或350TBW。
还不错PCIe 4.0为高端NVMe521g固态硬盘提供了更广阔的提升空间，而暂时与PCIe 4.0无缘的英特尔平台就比较尴尬。
技嘉推出的AORUS RAID SSD似乎正是为此而生，它以PCIe 3.0 x8接口提供6500MB/s顺序读取和6000MB/s顺序写入速度，足以媲美尚未面世的第二代PCIe 4.0固态硬盘。
当然，RAID0也不总是万能的，非原生的方案在延迟上总是会有一些缺陷，并不适合日常家用电脑。
在PCMark 8存储测试环节中，技嘉AORUS RAID SSD 2TB输给西数SN500等入门521g固态硬盘，在一些测试项目中甚至同QLC闪存的Intel 660p相当
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