手机芯片极限尺寸是多少
手机芯片极限尺寸是多少
7nm指的不是芯片尺寸
手机芯片行业经常看到28nm，14nm，10nm，7nm等等，其中xxnm指的是CPU上面形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，因称为栅长，而不是很多人以为的芯片尺寸。
摩尔定律
摩尔定律指的是价格不变时，集成电路所能容纳的晶体管数量，大约18个月会翻一倍，确实自硅芯片问世以来，一直遵循这摩尔定律的发展，当前10nm工艺已经完善，7nm也有了技术支持，不过已经到达物理极限。
硅芯片的物理极限
技术人员不断缩短栅的长度，为了使CPU能够集成更多的晶体管同时降低成本和功耗，不过这种做法同时带来的是电子的移动距离缩短，电子十分容易通过晶体管内部的硅底板从负极流向正极，也就是我们常说的漏电，由于晶体管数量的增加，使得绝缘层更加薄，使得漏电更加严重，反而使得功耗上升。
在以前栅长大于7nm的时候，各公司还能通过自身的技术手段来解决或者削弱漏电现象，当来到7nm这个程度过后，这些手段都没有作用了，晶体管十分容易就被电子击穿，所以说7nm是硅芯片的物理极限。
7nm不是极限 不过要突破也不容易
7nm级别的芯片确实目前硅芯片所能达到的极限，但是也不是不能突破，美国一家实验室通过新型材料，生产出了1nm级别的晶体管，不过这也不代表着打破了摩尔定律，因为这仅仅是实验阶段，商业化量产还遥遥无期。
我国也应该趁着国外芯片发展放缓的时机，奋起直追。手机芯片极限尺寸不知道，但7纳米制程工艺之后还有5纳米制程工艺！
手机芯片的工艺制成大约遵循这样一个规律: 每隔18个月，单位面积上的晶体管数量增加一倍嘛！多年来我们所熟知的芯片制造工艺是由65nm到32nm，再到28nm，还有近两年的14nm、16nm和10nm，接下来就是7nm ，据消息称5nm 已经在路上了！
按照这个规律，大家可以试着计算一下，手机芯片单位面积内晶体管数量翻倍并不意味着制程就要缩小一半，如果缩小一半的话单位面积晶体管数量不就翻4倍吗？所以说要保证两倍的成长，那么整代升级应该乘以0.7。所以从20nm*0.7就等于14nm，从14nm*0.7就约等于10nm，以此类推以从10nm当然是到7nm，7nm再到5nm，按这个规律5nm之后应该就是3.5nm！
目前据我所知拥有7nm先进制成工艺的只有台积电和三星，至于谁的性能和功耗更高就不得而知了！
总而言之言而总之: 如今的芯片行业在已经进入7nm时代，后续还有5nm等着大家！不过5nm的制成工艺我们也在积极的加入进来！未来还会三星、台积电和英特尔的天下吗，我们拭目以待吧！
目前手机芯片的尺寸主要是90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm，其中更先进的7nm芯片预计在2018下半年进入市场。
所谓的XX nm其实指的是栅长，栅长是：
而栅长越短，在相同大小的硅片上可以集成的晶体管也就越多，所以当栅长从130nm减小到90nm时，晶体管所占得面积也就减小了一半，这样相同的集成程度所占面积就更小，功耗和成本也就越低。
在这样的背景之下，追求更小的芯片尺寸就成了所有研发企业的追求之事。理论上，栅长可以无限的减小下去。但是实际上，栅长是有物理极限的，这个极限是7nm。
为什么说7nm是物理的极限呢？这就需要引入另一个概念，叫做漏电效应，也叫隧穿效应，这是指
其实漏电效应在20nm附近就已经很明显了，但是Intel、IBM等公司八仙过海，各显其能，纷纷解决了这些问题。例如Intel在制作工艺中融合了高介电薄膜和金属门集成电路以解决漏电问题；IBM开发出SOI技术解决漏电问题。但是这些工艺的极限就是7nm，当栅长小于7nm时，目前还没有可行的防止漏电现象发生的办法。
当栅长小于7nm时，向其中加入薄膜分隔已经变得不可能了，所以解决这个问题只能从芯片的材料上入手，这将是一个无比漫长的过程。目前美国的实验室中已经在着手研制1nm的芯片，如果某一天这变成可能，电子行业将发生翻天覆地的变化。
肯定会不断突破，直到接近物理极限。我们首先看看芯片的物理极限，一个原子的尺度大约是0.1nm，传统的芯片是利用原子的核外电子进行相应的操作。人造的任何器件最少要用一个原子，因而，理论上我们能突破到0.1个纳米。
纳米工艺和晶体管个数决定芯片大小。功能一致的情况下，芯片的极成工艺才是芯片大小的决定性因素，才是最值得衡量的最重要指标，就目前能够大量生产的最小工艺7纳米的工艺指标！
在以往每一次迭代工艺尺寸都接近根号2的比例缩小，由32,28,16,14,10，7纳米跨越式的逐渐缩小，每一次进步，都能成倍的增加单位面积的晶体管数量，让耗电更低，体积更小…
进步，进步，进步无止境，目前还没有人准确预见到未来的最小工艺尺寸是多少。是5纳米，是3.5，是2还是到不足1纳米还是…才止……
未来，未来的科技，如果还是晶体硅，可能不在是紫外光刀具，可能是频率更高，波长更短的超强X射线，r射线在几个硅原子上分割刻画也未可知，那样的工艺真的可以不足1纳米…
科技进步，展望未来，一切更精彩！
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